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SI2315BDS-T1-E3中文资料

SI2315BDS-T1-E3图片

SI2315BDS-T1-E3外观图

  • 大小:110.3KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET, P REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-12V; Current, Id Cont:3A; Resistance, Rds On:0.05ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.9V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Id Max:3.0A; Current, Idm Pulse:12A; No. of Pins:3; Power Dissipation:0.75W; Power Output:0.75W; Power, Pd:0.75W; Power, Ptot:0.75W; Quantity, Reel:3000; Resistance, Rds on @ Vgs = 2.5V P Channel:0.065ohm; Resistance, Rds on @ Vgs = 4.5V P Channel:0.05ohm; Resistance, Rds on Max:0.05ohm; SMD Marking:M5; Temperature, Current:25°C; Temperature, Fu...
  • 数据列表:SI2315BDS
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:50 毫欧 @ 3.85A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):900mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:15nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:715pF @ 6V
  • 功率 - 最大:750mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI2315BDS-T1-E3TR

SI2315BDS-T1-E3供应商

更新时间:2023-01-10 10:47:33
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